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Infineon Technologies ISC058N04NM5ATMA1
| Artikelnummer: | ISC058N04NM5ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $1.084 |
| 100+ | $0.8448 |
| 500+ | $0.6979 |
| 1000+ | $0.5509 |
| 2000+ | $0.5142 |
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Infineon Technologies ISC058N04NM5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments ISC058N04NM5ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 FL Serie OptiMOS™-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 31A, 10V Verlustleistung (max) 3W (Ta), 42W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 63A (Tc) Grundproduktnummer ISC058N -
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